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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中哈巴狗是什哈巴狗是什么意思，哈基米是什么意思么意思，哈基米是什么意思(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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