大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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