大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。耐克品牌和乔丹品牌是什么关系

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（M耐克品牌和乔丹品牌是什么关系icron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)耐克品牌和乔丹品牌是什么关系采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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