大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)喝康宝莱奶昔减下来会反弹吗，康宝莱奶昔减肥成功后会不会反弹查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng喝康宝莱奶昔减下来会反弹吗，康宝莱奶昔减肥成功后会不会反弹)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(喝康宝莱奶昔减下来会反弹吗，康宝莱奶昔减肥成功后会不会反弹cǐ)前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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