大家好，来(lái)看一(yī)则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng发奋还是发愤读书啊，发奋还是发愤图强)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺发奋还是发愤读书啊，发奋还是发愤图强步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

未经允许不得转载：IDC站长站，IDC站长，IDC资讯--IDC站长站 发奋还是发愤读书啊，发奋还是发愤图强