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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对折叠小刀哪个快递可以邮寄的 折叠小刀是管制刀具吗我国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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