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侗族乐器有哪些图片,侗族乐器有哪些种类 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn),影响我国国(guó)家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

  此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全,是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú),欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全(quán),防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险,维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(qu侗族乐器有哪些图片,侗族乐器有哪些种类án),依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中(zhōng)国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降,至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

  公告显示(shì), 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性(xìng),巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势,公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

  有(y侗族乐器有哪些图片,侗族乐器有哪些种类ǒu)券商此前就分(fēn)析,如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制,或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速,看(kàn)好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升,以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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