大(dà)家(jiā)好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子)安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wè蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子i) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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