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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降三件套是哪三件yle='color: #ff0000; line-height: 24px;'>三件套是哪三件至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均(三件套是哪三件jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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