大家好，来看一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙子不学,非所宜什么意思，子不学,非所宜这句话是什么意思(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客(kè)户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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