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总监和经理哪个大

总监和经理哪个大 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全总监和经理哪个大(quán)问题隐患,对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此,网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规,我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查,目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全,是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú),欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称,为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全(quán),防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险,维护国家安全(quán),依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》,网络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下(xià)降,至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī),如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制,或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分(fēn)析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露,薄(báo)膜沉积设备及总监和经理哪个大刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单,设备国产化进程(chéng)加速,看好拓荆科(kē)技(jì)(薄(báo)膜沉(chén)积)等相关公(gōng)司份额提升,以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等(děng)收入增长(zhǎng)。

 

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