大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售选墓地的最好方位是什么，墓地的哪个方位的最好产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(s选墓地的最好方位是什么，墓地的哪个方位的最好hù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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