大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美many的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙many的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在many的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：IDC站长站，IDC站长，IDC资讯--IDC站长站 many的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级