大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信while的前后时态口诀，while的前后时态要一致吗(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规(guī)，while的前后时态口诀，while的前后时态要一致吗ong>我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2while的前后时态口诀，while的前后时态要一致吗 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：IDC站长站，IDC站长，IDC资讯--IDC站长站 while的前后时态口诀，while的前后时态要一致吗