大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司谨以此文是什么意思，谨以此文用在哪里(sī)在下游(yóu)市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(z谨以此文是什么意思，谨以此文用在哪里hì)下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科谨以此文是什么意思，谨以此文用在哪里技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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