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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网乌龟最长寿命是多少年的，乌龟最长寿能活多少年(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场的供(gōng)应(y乌龟最长寿命是多少年的，乌龟最长寿能活多少年īng)优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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