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裱起来了是什么意思网络用语,裱是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

  美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

  据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安裱起来了是什么意思网络用语,裱是什么意思全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此,网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ裱起来了是什么意思网络用语,裱是什么意思)采(cǎi)购美光公司产品。

  此次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查,目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán),是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险,维(wéi)护国家安(ān)全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》,网络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

  半导体突(tū)发(fā)!中国出(chū)手(shǒu):停(tíng)止采购(gòu)!

  美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu),也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年(nián)收入来自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已经不是(shì)主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示,江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制,或将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì),国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽,催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù),薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提升(shēng),以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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