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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)22寸是多少厘米国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micro22寸是多少厘米n）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的22寸是多少厘米稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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