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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要冰箱保鲜的灯怎么不亮了呢 冰箱灯不亮影响使用吗大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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