大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结硝酸锌化学式怎么写出来的，硝酸锌化学式子论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及硝酸锌化学式怎么写出来的，硝酸锌化学式子存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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