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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)七分之二十二是无理数吗，七分之22是不是无理数售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波七分之二十二是无理数吗，七分之22是不是无理数龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)七分之二十二是无理数吗，七分之22是不是无理数司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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