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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％每天男生会拉我到没人的位置，对象一到没人的地方就抱我ine-height: 24px;'>每天男生会拉我到没人的位置，对象一到没人的地方就抱我。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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