大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生，奋斗终身还是奋斗终生的意思设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 9为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生，奋斗终身还是奋斗终生的意思4.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生，奋斗终身还是奋斗终生的意思购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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