大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网字母圈什么意思 字母圈都是怎么找到的络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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