大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì毁掉一个老师最好的办法)前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高(g毁掉一个老师最好的办法āo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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