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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(w耳朵旁的字有哪些字，带右耳朵旁的字有哪些ǎng)络安全法(耳朵旁的字有哪些字，带右耳朵旁的字有哪些fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对耳朵旁的字有哪些字，带右耳朵旁的字有哪些美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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