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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yucos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊ē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜cos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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