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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(c解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音ǐ)次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。