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手机扩展内存是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全(quán)审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

  审查发(fā)现,美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我国国家安全。为(wèi)此,网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规,我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán),是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放,只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》,对(duì)美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年(nián)约11%。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场手机扩展内存是什么意思份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降,至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采购(gòu)约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约,确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优势,公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前(qián)就分析,如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

  分(fēn)析称,长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到手机扩展内存是什么意思1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔(kǒng),未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù),薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单,设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提升,以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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