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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安手机话费交了能退吗(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比3手机话费交了能退吗3.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合手机话费交了能退吗作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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