大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　什么是艾里斯ABC理论 艾里斯abc理论提出的时间　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 什么是艾里斯ABC理论 艾里斯abc理论提出的时间维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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